为了满足激光惯性约束核聚变对光学晶体磷酸二氢钾（KDP）晶体所需的面形精度、表面质量的高要求, 对降低 KDP 晶体表面粗糙度和消除 KDP 晶体表面周期性刀痕, 某厂商采用离子源产生的离子束进行KDP晶体的沉积修正抛光.
该厂商采用双离子源溅射沉积系统, 其中一个离子源采用伯东 KRI 聚焦射频离子源 RFICP 380 对靶材进行溅射, 另一个离子源采用伯东 KRI 平行考夫曼离子源 KDC 100 对样品进行离子刻蚀.
其工作示意图如下：
用于溅射的 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数:
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射频离子源型号 |
RFICP 380 |
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Discharge 阳极 |
射频 RFICP |
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离子束流 |
>1500 mA |
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离子动能 |
100-1200 V |
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栅极直径 |
30 cm Φ |
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离子束 |
聚焦 |
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流量 |
15-50 sccm |
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通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
< 0.5m Torr |
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长度 |
39 cm |
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直径 |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
推荐理由：
聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染
用于刻蚀的 KRI 平行考夫曼离子源 KDC 100 技术参数：
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离子源型号 |
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Discharge |
DC 热离子 |
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离子束流 |
>400 mA |
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离子动能 |
100-1200 V |
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栅极直径 |
12 cm Φ |
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离子束 |
平行 |
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流量 |
2-20 sccm |
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通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
< 0.5m Torr |
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长度 |
23.5 cm |
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直径 |
19.4 cm |
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中和器 |
灯丝 |
* 可选: 可调角度的支架
推荐理由：
使用 KRI 平行型射频离子源 RFICP 100 可以准确、灵活地对样品选定的区域进行刻蚀, 可以使大口径光学元件 KDP 晶体表面更均匀
运行结果:
1. 溅射沉积的KDP晶体表面的均匀性在5%以内, 刻蚀均匀性在5%以内
2. 离子束刻蚀可以消除KDP晶体表面周期性刀痕
3. KDP晶体表面粗糙度降低到1.5nm,达到了预期目的
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