上海某大学研究室在离子溅射制备类金刚石 Ta-C 涂层研究中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 作为溅射源
KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:
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射频离子源型号 |
RFICP380 |
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Discharge 阳极 |
射频 RFICP |
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离子束流 |
>1500 mA |
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离子动能 |
100-1200 V |
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栅极直径 |
30 cm Φ |
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离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
15-50 sccm |
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通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
< 0.5m Torr |
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长度 |
39 cm |
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直径 |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
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该实验以 99.9% 纯度 Ti 靶和纯度石墨靶为原材料, 通过离子溅射技术在硬质合金表面制备 Ta-C涂层.
研究结果:
石墨靶溅射时间 55min 时制备的 Ta-C涂层综合性能较优, 涂层摩擦系数较低达到 0.13, 对膜副表面形成了石墨转移膜, 对 Ta-C 涂层起到润滑作用.
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