某陶瓷基片制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于 5G 陶瓷基片银薄膜减薄, 通过蚀刻工艺把基片涂层银薄膜刻蚀减薄, 并降低工差, 提高薄膜均匀性.
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数
|
Φ4 inch X 12片 |
基片尺寸 |
Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片 |
|
均匀性 |
±5% |
|
|
硅片刻蚀率 |
20 nm/min |
|
|
样品台 |
直接冷却,水冷 |
|
|
离子源 |
Φ20cm 考夫曼离子源 |
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220
伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:
|
离子源型号 |
RFICP 220 |
|
Discharge |
RFICP 射频 |
|
离子束流 |
>800 mA |
|
离子动能 |
100-1200 V |
|
栅极直径 |
20 cm Φ |
|
离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
流量 |
10-40 sccm |
|
通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
|
典型压力 |
< 0.5m Torr |
|
中和器 |
LFN 2000 |
推荐 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 理由:
1. 客户要求规模化生产, Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 适合大规模量产使用
2. 刻蚀均匀性 5%, 满足客户要求
3. 硅片刻蚀率 20 nm/min
若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :
上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯东版权所有, 翻拷必究！