某传感器制造商为了制备出具有高结晶度、大比表面积、排列规则的纳米结构 WO3 薄膜, 经过对比选择, 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积设备镀制 WO3 薄膜.
KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:
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射频离子源型号 |
RFICP380 |
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Discharge 阳极 |
射频 RFICP |
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离子束流 |
>1500 mA |
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离子动能 |
100-1200 V |
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栅极直径 |
30 cm Φ |
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离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
15-50 sccm |
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通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
< 0.5m Torr |
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长度 |
39 cm |
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直径 |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
气体传感器可以将被检测气体的种类、浓度等信息转变为可测信号, 并将计算机与被检测到的信号连接口相连接, 构成自动的监控、检测系统. 氧化钨薄膜可以吸附各种气体, 从而导致薄膜的电阻或光学参数的变化, 常常应用于气体传感器领域.
KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.
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