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    晶圆减薄 晶圆抛光 晶圆背抛 Wafer Grinding
    发布者：haoweijingmi  发布时间：2021-07-27 09:16:24  访问次数：477

    晶圆减薄作用:

    1.通过减薄/研磨的方式对晶片衬底进行减薄，改善芯片散热效果。

    2.减薄到一定厚度有利于后期封装工艺。

    常规工艺:

    减薄/抛光到80-100um

    粗糙度: 5-20nm

    平整度: ±3um

来源：深圳市天力士机械有限公司
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